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具有集成异质结二极管以增强性能的 SiC 沟槽 MOSFET 的数值演示
Japanese Journal of Applied Physics ( IF 1.5 ) Pub Date : 2023-04-26 , DOI: 10.35848/1347-4065/accb22
Lihao Wang , Yunpeng Jia , Xintian Zhou , Yuanfu Zhao , Dongqing Hu , Yu Wu , Zhonghan Deng
Japanese Journal of Applied Physics ( IF 1.5 ) Pub Date : 2023-04-26 , DOI: 10.35848/1347-4065/accb22
Lihao Wang , Yunpeng Jia , Xintian Zhou , Yuanfu Zhao , Dongqing Hu , Yu Wu , Zhonghan Deng
在本文中，根据 TCAD 仿真，提出并研究了一种新型的集成异质结二极管的 SiC 沟槽栅 MOSFET (HD-TG-MOS)。n型多晶硅/n型SiC HD通过多晶硅和半导体之间的直接接触被引入到凹槽中。因此，与传统的 SiC 沟槽栅极 MOSFET (C-TG-MOS) 相比，第一和第三象限的器件性能得到显着改善。更好的是，在异质结极低的势垒高度的帮助下，当用于反向续流时，与体二极管的 ~2.7 V 相比，拐点电压降低至仅 0.5 V。这些提升使得SiC HD-TG-MOS在高频功率转换应用中更具优势。此外，还提出了另一种采用类似概念的单元架构变体，
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更新日期：2023-04-26
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