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二维 Ca2N/MoS2 供体-受体异质结构的欧姆接触
Physical Chemistry Chemical Physics ( IF 2.9 ) Pub Date : 2023-05-12 , DOI: 10.1039/d3cp01412f Xinxin Wang 1 , Shiqiang Yu 1 , Yushuo Xu 1 , Baibiao Huang 1 , Ying Dai 1 , Wei Wei 1
Physical Chemistry Chemical Physics ( IF 2.9 ) Pub Date : 2023-05-12 , DOI: 10.1039/d3cp01412f Xinxin Wang 1 , Shiqiang Yu 1 , Yushuo Xu 1 , Baibiao Huang 1 , Ying Dai 1 , Wei Wei 1
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在当前阶段,传统的硅基器件受到缩放限制和费米能级钉扎效应的困扰。因此,为半导体寻找低电阻金属接触成为最重要的课题之一,二维(2D)金属/半导体接触变得非常有趣。或者,肖特基势垒和隧道势垒阻碍了它们的实际应用。在这项工作中,我们提出了一种通过构建供体-受体异质结构来降低接触势垒的新策略,即具有 Ca 2的 Ca 2 N/MoS 2N 是一种二维电子材料,具有非常小的功函数和相当高的载流子浓度。异质结构的准键相互作用避免了费米能级钉扎效应的形成,并提高了隧穿概率。Ca 2 N 和 MoS 2单分子层之间良好的 n 型欧姆接触形式,具有 100% 隧道概率和完美的线性I - V曲线,以及大的横向带弯曲也证明了接触的良好性能。我们验证了一个有趣的现象,即 Ca 2 N 可以触发 MoS 2从 2H 到 1T'的相变。此外,我们还发现 Ca 2之间可以形成欧姆接触N 和其他 2D 过渡金属二硫化物 (TMDC),包括 WS 2、MoSe 2、WSe 2和 MoTe 2。
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更新日期:2023-05-12
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