不同退火温度下AlN:Eu薄膜的微观结构演变,Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science

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不同退火温度下AlN:Eu薄膜的微观结构演变
Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science Pub Date : 2023-05-10 , DOI: 10.1002/pssa.202300064
Chunpeng Li _{1,

2} , Xionghui Zeng _{1,

2} , Xiaodan Wang ₃ , Xiaodong Gao ₂ , Hongmin Mao ₃ , Xiaoming Dong ₂ , Yi Zhang ₂ , Jiafan Chen ₂ , Ke Xu _{1,

2,

4,

5}

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通过透射电子显微镜 (TEM)、高分辨率 X 射线衍射和原子力显微镜对热处理过程中注入 Eu 的 AlN 的微观结构演变进行了表征。在 TEM 中可以观察到植入样品的三个具有不同对比度的区域。A区位于表面以下30 nm处，B区位于表面以下约30-100 nm处，是损伤最严重的区域，C区是B区以下的区域，该区域存在较大的应力B 由于 Eu 和 Al 离子之间的半径差异较大。750℃退火后，B区应力仅部分向外释放，导致A区和C区晶格缺陷增加。A区和C区在弱束亮场图像中表现出相同的对比度。经过1040℃退火后，几乎没有阴影区域，表明应力完全释放，晶格损伤消除。同时，阴极发光（CL）结果表明Eu的发光³⁺随着应力释放和损伤消除而得到改善。

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更新日期：2023-05-10

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