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化学气相沉积法合成的 MoSe2–WSe2 异质双层中的晶格重建
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-05-04 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c05094 Zhijie Li 1 , Farsane Tabataba-Vakili 1, 2 , Shen Zhao 1 , Anna Rupp 1 , Ismail Bilgin 1 , Ziria Herdegen 3 , Benjamin März 3 , Kenji Watanabe 4 , Takashi Taniguchi 5 , Gabriel Ravanhani Schleder 6 , Anvar S Baimuratov 1 , Efthimios Kaxiras 6, 7 , Knut Müller-Caspary 3 , Alexander Högele 1, 2
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-05-04 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c05094 Zhijie Li 1 , Farsane Tabataba-Vakili 1, 2 , Shen Zhao 1 , Anna Rupp 1 , Ismail Bilgin 1 , Ziria Herdegen 3 , Benjamin März 3 , Kenji Watanabe 4 , Takashi Taniguchi 5 , Gabriel Ravanhani Schleder 6 , Anvar S Baimuratov 1 , Efthimios Kaxiras 6, 7 , Knut Müller-Caspary 3 , Alexander Högele 1, 2
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半导体过渡金属二硫化物的垂直范德华异质结构实现了具有丰富相关电子相和莫尔激子现象的莫尔系统。然而,对于MoSe 2 –WSe 2中具有小晶格失配和扭曲角的材料组合,晶格重建消除了规范的莫尔图案,取而代之的是产生了周期性重建的纳米级域阵列和一个原子注册表的介观扩展区域。在这里,我们阐明了原子重构在 MoSe 2 –WSe 2中的作用通过化学气相沉积合成异质结构。通过原子尺度的互补成像、模拟和光学光谱方法,我们确定了平行和反平行排列的异质堆中莫尔型核和扩展无莫尔区域的共存。我们的工作突出了化学气相沉积在需要一个原子登记处或激子限制异质堆阵列的横向扩展异质系统的应用中的潜力。
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更新日期:2023-05-04
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