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使用三重耦合微环的游标效应单模激光器的高边模抑制比
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2023-05-01 , DOI: 10.1038/s41598-023-34267-9 Milad Jahangiri 1 , Fatemeh Moradiani 1 , Gholam-Mohammad Parsanasab 1 , Mohsen Mirmohammadi 1
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更新日期:2023-05-02
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2023-05-01 , DOI: 10.1038/s41598-023-34267-9 Milad Jahangiri 1 , Fatemeh Moradiani 1 , Gholam-Mohammad Parsanasab 1 , Mohsen Mirmohammadi 1
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开发具有高边模抑制比 (SMSR) 的单模激光器具有挑战性,但由于其高光谱纯度和稳定性,对于集成光子器件和长距离通信来说是非常理想的。在这里,我们展示了一种基于尺寸不匹配的三重耦合微环的具有高边模抑制比的单模激光器。通过精确设计结构的几个关键参数,如用于控制自由光谱范围 (FSR) 的气隙和微环半径,选择主要模式以在增益材料的放大自发辐射 (ASE) 和所有侧面和高阶模式被游标效应抑制。在这项工作中,我们表明,在三环耦合微腔激光器中,单模操作有效地产生,边模抑制比提高了 20 dB 以上。单频输出持续很宽的功率范围。理论计算和数值模拟的结果证实了实验结果的有效性。我们的结构工程在单模激光器和高质量传感器的各种前沿应用中创造了新的机会。
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