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通过表面增强拉曼散射了解金属-半导体等离子体共振耦合
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2023-04-26 , DOI: 10.1021/acsami.3c02160
Lin Zhu 1 , Zhen Meng 1 , Saizhen Hu 1 , Tiancong Zhao 2 , Bing Zhao 1
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2023-04-26 , DOI: 10.1021/acsami.3c02160
Lin Zhu 1 , Zhen Meng 1 , Saizhen Hu 1 , Tiancong Zhao 2 , Bing Zhao 1
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尽管对金属/半导体异质结构内等离子体诱导的电荷转移进行了深入研究,但之前的研究都集中在仅贵金属的表面等离子体共振 (SPR) 上。在这里,我们第一次观察并考虑了贵金属和半导体纳米结构的 SPR 之间的等离子体耦合。设计并制造了由金属银纳米粒子(Ag NPs)和半导体W 18 O 49纳米线(W 18 O 49 NWs)组成的AW 18 O 49 /Ag异质结构,它在可见光波长范围内表现出广泛而强烈的SPR吸收。该 SPR 带归因于 Ag NP 和 W 的 SPR 之间的 SPR 耦合18 O 49 NW。然后使用表面增强拉曼散射 (SERS) 揭示金属 SPR、半导体 SPR 和异质结构的电荷转移 (CT) 过程之间的相互作用,证明这种耦合的 SPR 增强了异质结构的内部 CT 和 SERS 信号。最后,我们提出了一种新的耦合等离子体诱导电荷转移机制来解释 SERS 基板和分子之间提高的 CT 效率。我们的工作为进一步研究金属/半导体异质结构中的等离子体效应和界面电荷转移提供了见解。
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更新日期:2023-04-26
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