作为有机场效应晶体管 (OFET) 的活性层，聚合物具有固有的优势，例如柔韧性、重量轻、成本效益和生物相容性。掺杂可以显着改变和改变半导体的电子特性，使场效应晶体管 (FET) 器件具有可调特性。在这项研究中，研究了具有由掺杂碘的 p 型共轭聚合物聚（3-己基噻吩-2,5-二基）（或 P3HT）制成的活性层的 FET 中的电荷迁移率。初步数据显示，FET 电荷迁移率最初在低掺杂浓度下增加，但在高掺杂浓度下下降。正在分析和讨论这种趋势的机制。

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