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使用保护性 CuBi2O4 层提高 CuO 光电阴极的光电化学水分解性能
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2023-04-08 , DOI: 10.1038/s41598-023-32804-0
Nguyen Hoang Lam 1 , Nguyen Tam Nguyen Truong 1 , Nam Le 1 , Kwang-Soon Ahn 1 , Younjung Jo 2 , Chang-Duk Kim 2 , Jae Hak Jung 1
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更新日期:2023-04-09
Scientific Reports ( IF 3.8 ) Pub Date : 2023-04-08 , DOI: 10.1038/s41598-023-32804-0
Nguyen Hoang Lam 1 , Nguyen Tam Nguyen Truong 1 , Nam Le 1 , Kwang-Soon Ahn 1 , Younjung Jo 2 , Chang-Duk Kim 2 , Jae Hak Jung 1
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采用水热法合成了在 FTO 基板上生长的CuO 和 CuBi 2 O 4异质结光电阴极(FTO/CuO/CuBi 2 O 4 ),然后采用旋涂和退火来克服 CuO 在光电化学 (PEC) 水分解中遇到的瓶颈应用。详细讨论了每种合成条件下每种样品的合成方法、形貌、结构性质和组成。在 450 °C 下退火的具有 15 个涂层的光电阴极表现出最佳的 PEC 性能。此外,其电流密度达到1.23 mA/cm 2在 - 0.6 V 的施加电压下,相对于中性电解质中的 Ag/AgCl。此外,它表现出比裸露的 CuO 薄膜更高的稳定性。CuBi 2 O 4键合在CuO上导致两个半导体之间的紧密接触,帮助半导体相互支撑以提高光电阴极的PEC效率。CuO 充当电子生成层,而 CuBi 2 O 4层有助于最大程度地减少光腐蚀并将载流子传输到电极/电解质界面以完成析氢反应。

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