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一种基于 KPFM 的简单无静电形貌测量方法:MoS2 在 SiO2 上的案例
Nanotechnology ( IF 2.9 ) Pub Date : 2023-03-13 , DOI: 10.1088/1361-6528/acbe02
Aloïs Arrighi , Nathan Ullberg , Vincent Derycke , Benjamin Grevin

据报道,开尔文探针力显微镜 (KPFM) 的简单实现可以在没有任何静电力分量(包括静态项)的情况下记录地形图像。我们的方法基于在数据立方体模式下运行的闭环 z 光谱。作为时间函数的尖端样本距离曲线被记录到二维网格上。专用电路保持 KPFM 补偿偏置,随后在光谱采集中明确定义的时间窗口期间切断调制电压。地形图像是根据光谱曲线矩阵重新计算的。这种方法适用于通过化学气相沉积在氧化硅基板上生长的过渡金属二硫化物 (TMD) 单层的情况。此外,我们检查通过记录一系列图像以减少偏置调制幅度的值,也可以在多大程度上执行适当的堆叠高度估计。两种方法的输出显示完全一致。结果举例说明了在超高真空 (nc-AFM) 下非接触式 AFM 的操作条件下,由于尖端表面电容梯度的变化,堆叠高度值可能会被显着高估,即使 KPFM 控制器使潜在差异。我们表明,只有当 KPFM 测量是在调制偏置幅度降低到其严格的最小值或更好的是没有任何调制偏置的情况下执行时,才能安全地评估 TMD 的原子层数。最后的,光谱数据表明,某些类型的缺陷会对静电景观产生违反直觉的影响,导致与其他样品区域相比,传统 nc-AFM/KPFM 测得的堆叠高度明显降低。因此,无静电 z 成像被证明是一种很有前途的工具,可以评估在氧化物上生长的原子级薄 TMD 层中是否存在缺陷。



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更新日期:2023-03-13
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