Ag-Ga2Te3-SnTe 系统中的高导硫系玻璃及其作为热电材料的适用性,ACS Applied Materials & Interfaces

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Ag-Ga2Te3-SnTe 系统中的高导硫系玻璃及其作为热电材料的适用性
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2023-04-04 , DOI: 10.1021/acsami.3c00532
Huan Zhang ₁ , Yaqi Zhang _{1,

2} , Chen Chen ₃ , Pengfei Yu ₁ , Li-Min Wang ₁ , Gong Li ₁

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通过熔融纺丝制备了一种新型高导电率 Ag _x [(Ga ₂ Te ₃ ) ₃₄ (SnTe) ₆₆ ] _{100– x}碲基玻璃系统，玻璃形成面积在x = 0–15 mol %范围内。大块 Ag ₁₀ [(Ga ₂ Te ₃ ) ₃₄ (SnTe) ₆₆ ] ₉₀玻璃 (A10) 通过在 450 K 下使用 5 分钟停留时间和 400 MPa 压力的放电等离子烧结获得。制造的 A10 玻璃表现出更高的室温电导率 (σ _{300 K} = 46 S m ^–1)、更高的玻璃化转变温度 ( T _g = 482 K) 和超低的热导率 (∼0.19 W m ^–1 K ^–1 ) 与之前报道的 Cu-Ge-Te、Cu-As-Te、Cu-Ge 相比–As–Te 和 Cu–As–Se–Te 玻璃态体系，掺杂浓度约为 5–20%，表明这种独特的 Ag–Ga ₂ Te ₃ –SnTe 体系是热电应用的有趣材料。高导电率的Ag-Ga ₂ Te ₃ -SnTe玻璃系统将扩展对类似玻璃半导体的研究，也可用于制备具有其他领域潜在应用的玻璃陶瓷。

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更新日期：2023-04-04

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