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纳米级异质过渡金属二硫化物-Au 界面工程
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-04-03 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c00080 Alex Boehm 1 , Jose J Fonseca 2 , Konrad Thürmer 3 , Joshua D Sugar 3 , Catalin D Spataru 3 , Jeremy T Robinson 4 , Taisuke Ohta 1
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-04-03 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c00080 Alex Boehm 1 , Jose J Fonseca 2 , Konrad Thürmer 3 , Joshua D Sugar 3 , Catalin D Spataru 3 , Jeremy T Robinson 4 , Taisuke Ohta 1
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设计过渡金属二硫化物 (TMD)-金属界面对于二维半导体器件的开发至关重要。通过直接探测 WS 2 –Au 和 WSe 2的电子结构–Au 具有高空间分辨率的界面，我们描述了复合系统中的纳米级异质性，这些异质性会引起局部肖特基势垒高度调制。光电子能谱揭示了 TMD 功函数和占据电子态的结合能的巨大变化 (>100 meV)。使用电子背散射衍射和扫描隧道显微镜对复合系统进行表征使我们将这些异质性归因于 Au 接触中不同的微晶取向，表明金属微观结构在接触形成中的固有作用。然后，我们利用我们的理解来开发简单的 Au 处理技术，以形成异质性降低的 TMD-Au 界面。
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更新日期：2023-04-03
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