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掺锡 Ga2O3 中化学键合和相分离的拉曼光谱表征
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2023-03-22 , DOI: 10.1021/acsomega.2c05047 Debabrata Das 1 , Guillermo Gutierrez 1, 2 , C V Ramana 1, 2
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2023-03-22 , DOI: 10.1021/acsomega.2c05047 Debabrata Das 1 , Guillermo Gutierrez 1, 2 , C V Ramana 1, 2
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使用详细的拉曼散射分析，报告了锡 (Sn) 掺入对晶体结构、化学键合/不均匀性以及氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 化合物的单相与多相形成的影响。通过高温固相合成法制备的Sn 混合 Ga 2 O 3多晶化合物 (0.00 ≤ x ≤ 0.30) 的拉曼表征表明，Sn 诱导的化学键合和相分离发生变化意义重大。此外，证实了Sn-O 键随着 Sn 浓度 ( x )的增加而演变。而单斜晶系β-Ga 2 O 3对于较低的x值不受干扰，拉曼光谱揭示了具有明显的 SnO 2第二相的复合材料的成核。较高的 Sn 含量导致 Ga–Sn–O + SnO 2混合相化合物的形成，这反映在结构上形成 β-Ga 2 O 3的 GaO 4四面体的高频拉伸和弯曲的变化中阶段。因此，为并入Sn的Ga 2 O 3化合物建立了化学组成/相/化学键合相关性。
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更新日期：2023-03-22
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