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在环境条件下稳定的 P 型氮掺杂 ZnO 纳米颗粒
Journal of the American Chemical Society ( IF 14.4 ) Pub Date : 2011-12-08 , DOI: 10.1021/ja208044k Benoit Chavillon 1 , Laurent Cario 1 , Adèle Renaud 1 , Franck Tessier 2 , François Cheviré 2 , Mohammed Boujtita 3 , Yann Pellegrin 3 , Errol Blart 3 , Amanda Smeigh 4 , Leif Hammarström 4 , Fabrice Odobel 3 , Stéphane Jobic 1
Journal of the American Chemical Society ( IF 14.4 ) Pub Date : 2011-12-08 , DOI: 10.1021/ja208044k Benoit Chavillon 1 , Laurent Cario 1 , Adèle Renaud 1 , Franck Tessier 2 , François Cheviré 2 , Mohammed Boujtita 3 , Yann Pellegrin 3 , Errol Blart 3 , Amanda Smeigh 4 , Leif Hammarström 4 , Fabrice Odobel 3 , Stéphane Jobic 1
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氧化锌被认为是一种非常有前途的光电材料。然而，迄今为止，生产稳定的 p 型 ZnO 的困难是一个瓶颈，阻碍了基于 ZnO 的器件的出现。在这种情况下，掺氮氧化锌备受关注。然而，许多评论报告了 N 掺杂 ZnO 中 p 型导电性的有争议的特征，最近的理论贡献解释了 N 掺杂本身不能导致富锌 ZnO 中的 p 型。我们在这里报告 ZnO(2) 在低温下的氨解产生纯纤锌矿型 N 掺杂的 ZnO 纳米粒子，具有非常大量的 Zn 空位（高达 20%）。电化学和瞬态光谱研究表明，这些缺锌纳米粒子表现出 p 型导电性，在环境条件下可稳定超过 2 年。
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更新日期：2011-12-08
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