缺陷工程和高折射率表面 （HIF） 可以被视为调节催化剂微观结构和光催化活性的两种有效方法。到目前为止，将氧空位和 HIF 优势的协同效应整合到半导体中以增强光催化性能的研究很少受到关注。在此，通过简单的方法合成了具有氧空位和暴露 （321） 表面活性晶面的黑色 In2O3−x/In2O3 作为优良的光催化剂。Black In2O3−x/In2O3 催化剂在 120 min 时可分别达到最高的光催化析氢速率 （1046 μmol h−1 g−1） 和 MB 降解效率 （0.017 min−1）。Black In2O3−x/In2O3 作为一种特殊的相结，由于其独特的缺陷同质结微观结构，可以有效地促进光生电荷的分离和转移，从而暴露出丰富的光催化剂氧化还原活性位点。实验表征和密度泛函理论 （DFT） 计算可以进一步用于揭示增强析氢反应 （HER） 活性的机制。很明显，由于电子分布和 H 吸附的较低吉布斯自由能，增强的 HER 活性归因于氧缺陷和暴露 （321） 表面活性晶面的协同作用。这项工作可能开辟新的途径，将暴露的面和氧空位整合在一起，以增强光催化析氢与可再生能源和环境修复。



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