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单层 MoS2 中的高效多激子产生
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2023-03-20 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.3c00306
Ashish Soni, Dushyant Kushavah, Li-Syuan Lu, Wen-Hao Chang, Suman Kalyan Pal
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2023-03-20 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.3c00306
Ashish Soni, Dushyant Kushavah, Li-Syuan Lu, Wen-Hao Chang, Suman Kalyan Pal
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利用光激发的多余能量（否则会因热效应而损失）可以提高下一代光捕获设备的效率。半导体材料中的多激子产生 (MEG) 通过吸收单个高能光子产生两个或更多激子，这可以打破光伏器件转换效率的 Shockley-Queisser 极限。最近，单层过渡金属二硫化物（TMD）因其高吸收系数而成为很有前途的光捕获材料。在这里，我们报告了范德华 (vdW) 层状材料 MoS 2中具有低阈值能量和高 (86%) 效率的高效 MEG. 通过不同的实验方法，我们展示了激子倍增的特征，并讨论了单层 MoS 2中决定性 MEG 的可能来源。我们的研究结果表明，vdW 层状材料可能是开发机械灵活且高效的下一代太阳能电池和光电探测器的潜在候选材料。
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更新日期：2023-03-20
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