降低接触电阻是开发基于二维材料的晶体管的主要挑战之一。_{在这项研究中，我们通过采用一种新型的部分硫取代的边缘接触金属/WSX/WS 2}来执行第一性原理量子传输计算，以降低肖特基势垒高度，从而降低接触电阻。_{在这里，硫置换产生超材料 WSX 的一部分（X = P、As、F 和 Cl），使用 V 族或卤素原子替代 WS 2}单层一侧的硫原子。我们进一步比较了这种硫替代物对界面金属化和键合的影响。_{对于 p 型 Pt/WSP/WS 2}，此类 WSX 缓冲触点的接触电阻低至 142 和 173 Ω·μm和 n 型 Ti/WSCl/WS ₂边缘接触，分别。此外，从头算分子动力学用于在室温下观察稳定的独立 WSX 单层。



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