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γ-Al2O3/Al界面的第一性原理计算
Acta Materialia ( IF 8.3 ) Pub Date : 2023-02-23 , DOI: 10.1016/j.actamat.2023.118786 Xueyou Zhang , Yanzhou Ji , Long-Qing Chen , Yi Wang
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更新日期:2023-02-23
Acta Materialia ( IF 8.3 ) Pub Date : 2023-02-23 , DOI: 10.1016/j.actamat.2023.118786 Xueyou Zhang , Yanzhou Ji , Long-Qing Chen , Yi Wang
了解γ-Al 2 O 3相和Al 基体之间界面的界面结构和能量对于理解Al 氧化过程中γ-Al 2 O 3膜的稳定性至关重要。在这里,我们报告了关于亚稳态 γ-Al 2 O 3相和 Al之间界面的结构和能量特性的全面第一性原理研究。考虑两种尖晶石和一种非尖晶石γ-Al 2 O 3构建了19种界面结构模型分别由 Ouyang、Pinto 和 Digne 提出的模型,与 Al 和不同界面终止的可能取向关系。我们发现具有 (001) γ ||(111) Al取向关系的 Pinto 模型显示最低的界面能为 1.08 J/m 2,这归因于规则分布的面外 Al-O 界面键。分离功与界面键的强度和密度直接相关。我们的计算为预测铝氧化过程中γ-Al 2 O 3膜的稳定性提供了必要的界面结构和能量学。
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