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无电阻忆阻器仿真器:使用 OTA 和 VDBA 进行浮动和接地,用于高频应用
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems ( IF 2.7 ) Pub Date : 7-11-2022 , DOI: 10.1109/tcad.2022.3189837
Mourina Ghosh 1 , Pulak Mondal 2 , Shekhar S. Borah 1 , Santosh Kumar 3
Affiliation
忆阻器仿真器的设计在模拟计算、神经形态和生物系统、通信等领域有着广泛的应用,备受追捧。在本文中,提出了一种采用电流模式(CM)构建块的无电阻电子可调接地和浮动忆阻器仿真器:运算跨导放大器(OTA)和压差缓冲放大器(VDBA)。所提出的模拟器可以配置为增量和减量操作。所提出的仿真器的鲁棒性已通过执行各种分析得到验证:非理想解释、工艺角变化、温度波动和非波动行为。布局已完成,理论指纹特性已在Cadence环境中使用180 nm CMOS工艺参数进行模拟和观察。所提出的忆阻器仿真器的收缩磁滞环保持高达 5 MHz。所提出的忆阻器仿真器使用较少数量的电路元件,但在速度和频率工作范围方面保持了性能。已使用所提出的忆阻器执行二进制频移键控 (BFSK),以验证其在应用中的功能。这种性能优越的忆阻器仿真器可以集成到通信系统、模拟计算、神经形态和生物系统等中。

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