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通过扫描扩散电阻显微镜表征 Si 晶片上局部外延 GaN 层中的无意掺杂
Microelectronic Engineering ( IF 2.6 ) Pub Date : 2023-02-20 , DOI: 10.1016/j.mee.2023.111964
Thomas Kaltsounis , Helge Haas , Matthieu Lafossas , Simona Torrengo , Vishwajeet Maurya , Julien Buckley , Denis Mariolle , Marc Veillerot , Alain Gueugnot , Laurent Mendizabal , Yvon Cordier , Matthew Charles

研究了氮化镓 (GaN) 在硅 (Si) 上的局部外延,目的是获得与 1200 V 垂直器件兼容的材料,特别是无意掺杂水平 <1 × 10 16 cm -3 , 对于具有高优质设备。在这项研究中,检查了三种掩模材料(SiN、SiO 2、Al 2 O 3 ),并通过扫描扩散电阻显微镜(SSRM)研究了通过金属有机气相外延(MOVPE)生长的GaN层中的无意掺杂浓度。SSRM 的结果通过二次离子质谱 (SIMS) 进行验证,表明无意掺杂浓度低于 10 16  cm -3当使用Al 2 O 3作为掩模材料时,可以实现。该值低于之前任何关于局部 GaN 生长的研究,此外,这是首次使用 SSRM 观察 GaN 中如此低的掺杂浓度。





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更新日期:2023-02-20
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