当前位置：
X-MOL 学术
›
Nano Lett.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
化学气相沉积二硫化钼中晶界的栅极可调静电摩擦
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-02-13 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c04958 Jae Hwan Jeong 1 , Yeonjoon Jung 2 , Jang-Ung Park 1 , Gwan-Hyoung Lee 2
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2023-02-13 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c04958 Jae Hwan Jeong 1 , Yeonjoon Jung 2 , Jang-Ung Park 1 , Gwan-Hyoung Lee 2
Affiliation
|
二维 (2D) 半导体材料（例如 MoS 2）因其在先进电子设备中的巨大潜力而受到广泛研究。然而，由于许多缺陷，使用化学气相沉积 (CVD) 生长的 MoS 2薄膜表现出低于预期的性能。其中，晶界（GB）是决定MoS 2电学和机械性能的关键参数。在此，我们报告了 CVD 生长的 MoS 2中 GB 的栅极可调静电摩擦。使用原子力显微镜（AFM），我们发现MoS 2的静电摩擦是由MoS 2尖端和载体之间的库仑相互作用产生的，这与 GB 的局部能带结构有关。因此，GB 处的局部电荷载流子分布增强了静电摩擦，这与尖端的加载力呈线性关系。我们的研究表明静电摩擦与 MoS 2 GB中的局部能带结构之间存在很强的相关性，为识别和表征多晶二维材料的 GB 提供了一种新方法。
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期：2023-02-13
"点击查看英文标题和摘要"
京公网安备 11010802027423号