当前位置：
X-MOL 学术
›
J. Phys. Chem. Lett.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
通过扫描透射电子显微镜将单层 MoS2 中的缺陷 MoS 误识别为 MoS2：第一性原理预测
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2023-02-13 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.3c00032
Song Yu 1 , Zenghua Cai 2 , Deyan Sun 1 , Yu-Ning Wu 1 , Shiyou Chen 1, 3
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2023-02-13 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.3c00032
Song Yu 1 , Zenghua Cai 2 , Deyan Sun 1 , Yu-Ning Wu 1 , Shiyou Chen 1, 3
Affiliation
|
层状半导体中的缺陷类型可以通过将扫描透射电子显微镜 (STEM) 图像与第一性原理模拟的结构进行匹配来识别。在 PVD 生长的 MoS 2单层中，Mo S2反位（一个 Mo 代替两个 S）被认为是主要的，因为它的计算结构与 STEM 图像中的扭曲结构相匹配。因此，MoS2在MoS 2相关的缺陷工程中备受关注。我们发现 Mo S（一个 Mo 代替一个 S）可能被误认为是 Mo S2，因为电离的 Mo S也有类似的结构畸变，在电子辐照下很容易被电离。不幸的是，在以前的研究中忽略了辐射引起的电离和相关的 MoS 结构变形。由于MoS的形成能远低于MoS2 ，因此它更可能作为MoS2中的主导缺陷存在。我们的结果强调了在层状半导体缺陷的 STEM 识别中考虑缺陷电离和相关结构变形的必要性。
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期：2023-02-13
"点击查看英文标题和摘要"
京公网安备 11010802027423号