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从铁电体到掺杂的Mott绝缘子的深度剖析电荷累积
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2015-03-17 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b00104 Maya Marinova 1 , Julien E. Rault 2 , Alexandre Gloter 1 , Slavomir Nemsak 3, 4, 5 , Gunnar K. Palsson 6, 7 , Jean-Pascal Rueff 2 , Charles S. Fadley 3, 4 , Cécile Carrétéro 8 , Hiroyuki Yamada 8, 9 , Katia March 1 , Vincent Garcia 8 , Stéphane Fusil 8 , Agnès Barthélémy 8 , Odile Stéphan 1 , Christian Colliex 1 , Manuel Bibes 8
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2015-03-17 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b00104 Maya Marinova 1 , Julien E. Rault 2 , Alexandre Gloter 1 , Slavomir Nemsak 3, 4, 5 , Gunnar K. Palsson 6, 7 , Jean-Pascal Rueff 2 , Charles S. Fadley 3, 4 , Cécile Carrétéro 8 , Hiroyuki Yamada 8, 9 , Katia March 1 , Vincent Garcia 8 , Stéphane Fusil 8 , Agnès Barthélémy 8 , Odile Stéphan 1 , Christian Colliex 1 , Manuel Bibes 8
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在基于氧化物的电子产品中，功能特性的电场控制是至关重要的目标。氧化物通道中不同电阻率或磁性状态之间的非易失性切换可通过电荷积累或相邻铁电体的耗尽来实现。但是，电荷在铁电体和氧化物之间的界面附近分布的方式仍然知之甚少，这限制了我们对这种开关效应的理解。在这里，我们将扫描透射电子显微镜与电子能量损失光谱，近全反射硬X射线光发射光谱和从头算理论相结合，来解决这个问题。我们在铁电BiFeO之间的界面上实现了极化诱导的电荷密度变化的直接，定量，原子尺度的表征3和掺杂的Mott绝缘子Ca 1– x Ce x MnO 3，从而提供有关界面工程如何增强这些开关效果的见解。
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更新日期：2015-03-17
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