通过 LaAlO3 厚度控制在 LaAlO3/KTaO3 界面处限制增强的 Rashba 自旋轨道耦合,Physica Status Solidi-Rapid Research Letters

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通过 LaAlO3 厚度控制在 LaAlO3/KTaO3 界面处限制增强的 Rashba 自旋轨道耦合
Physica Status Solidi-Rapid Research Letters ( IF 2.5 ) Pub Date : 2023-02-08 , DOI: 10.1002/pssr.202200441
Jia Liu ₁ , Fei Ye ₁ , Mingrui Bao ₁ , Haiyang Fan ₁ , Xinqi Liu ₁ , Ziheng Zhang ₁ , Zongquan Gu ₂ , Long Cheng ₁ , Xiaofang Zhai ₁

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具有强自旋轨道耦合（SOC）的超导体由于在实现拓扑超导和搜索马约拉纳费米子方面具有巨大潜力而备受关注。_{最近，在 LaAlO 3} /KTaO ₃ (111) 和 EuO/KTaO ₃ (111) 异质界面_中观察到了具有相对较高Tc ≈ 2 K 的二维 (2D) 超导性。 然而，仍然缺乏基于KTaO ₃ (111) 的异质界面中 SOC 的实验研究。_{在此，LaAlO 3} /KTaO ₃ (111)的Rashba SOC与不同的LaAlO _3界面厚度进行了研究。据揭示，由 LaAlO ₃厚度调节的 2D 电子气的空间限制显着增强了 SOC。在这项工作中，最大 Rashba 自旋分裂能量 Δ_因此达到 ≈48 meV，这是氧化物基导电异质界面中有史以来报道的极高值。

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更新日期：2023-02-08

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