在扭曲的范德瓦尔斯双层中形成的莫尔超晶格已成为一种新的调谐旋钮，用于在二维材料中创建新的电子状态。由于莫尔势的存在，激子性质也可能发生剧烈变化。然而，量化激子的波纹势并非易事。_{通过创建一个大型的 MoSe 2} /MoS ₂系综对于具有系统扭转角变化的异质双分子层，我们绘制了层间和层内激子的迷你能带作为扭转角的函数，我们从中确定了激子的莫尔势。令人惊讶的是，层内激子的莫尔势能深度高达~130 meV，与层间激子相当。这一结果与基于密度泛函理论的理论计算明显不同，密度泛函理论显示层内激子的莫尔势能小一个数量级。在莫尔晶胞内的结构重建框架内可以理解非常深的层内莫尔电位。



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