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带缓冲层的钙钛矿忆阻器的机理和动力学分析:两步设置过程的案例
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2023-02-04 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.2c03669 Cedric Gonzales 1 , Antonio Guerrero 1
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2023-02-04 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.2c03669 Cedric Gonzales 1 , Antonio Guerrero 1
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随着对人工智能硬件系统对大脑启发的内存和神经形态计算的需求不断增加,了解忆阻器设备电阻切换的潜在机制至关重要。在这里,我们展示了一个两步电阻切换设置过程,涉及移动卤化物离子/空位 (I – /V I + ) 和银离子 (Ag + ) 在具有薄的未掺杂缓冲层的基于钙钛矿的忆阻器中的复杂相互作用。电阻切换涉及电流的初始逐渐增加,与钙钛矿体层内与漂移相关的卤化物迁移相关,然后是与移动 Ag +扩散相关的突然电阻切换导电细丝形成。此外,我们开发了一个动力学模型来解释特征I - V曲线,该曲线有助于理清和量化与实验忆阻响应一致的切换机制。这种对两步设置过程的进一步了解为具有不同复杂程度的多功能应用程序的设备设计提供了另一个自由度。
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更新日期:2023-02-04
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