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用于神经形态计算的基于 AlGaN/GaN 的光电突触器件
Advanced Optical Materials ( IF 8.0 ) Pub Date : 2023-02-03 , DOI: 10.1002/adom.202202105 Cuihong Kai 1, 2 , Yue Wang 1, 2 , Xiaoping Liu 2 , Xiao Liu 1, 2 , Xuqing Zhang 1, 2 , Xiaodong Pi 1, 2 , Deren Yang 1
Advanced Optical Materials ( IF 8.0 ) Pub Date : 2023-02-03 , DOI: 10.1002/adom.202202105 Cuihong Kai 1, 2 , Yue Wang 1, 2 , Xiaoping Liu 2 , Xiao Liu 1, 2 , Xuqing Zhang 1, 2 , Xiaodong Pi 1, 2 , Deren Yang 1
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神经形态计算有望克服传统计算机的冯诺依曼瓶颈。鉴于它们在神经形态计算中的潜在应用，人们非常需要光电突触设备。在这项工作中，制造了具有长期记忆的光电突触设备。这些器件基于 GaN/AlGaN/AlN/GaN 异质结和 SiN x电荷俘获层。实现了包括兴奋性突触后电流、成对脉冲促进以及从短期记忆到长期记忆的转变等突触功能。长期记忆的保留时间可能超过 10 年，证明了设备可靠的电荷存储。逻辑功能也可以通过协同器件的光门控和电门控来实现。在1.4 mW cm -2的光功率密度下，响应率和比检测率分别为2.64 × 10 5 AW -1和1.79 × 10 16琼斯。此外，这些器件具有 1000 次循环的可重构开关，工作温度高达 200 °C。
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更新日期：2023-02-03
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