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界面处的 NH4+ 去质子化诱导可逆的 H3O+/NH4+ 共插入/脱出
Angewandte Chemie International Edition ( IF 16.1 ) Pub Date : 2023-02-03 , DOI: 10.1002/anie.202218922
Meng Huang 1, 2, 3 , Qiu He 4 , Junjun Wang 3 , Xiong Liu 5 , Fangyu Xiong 3, 6 , Yu Liu 3, 7 , Ruiting Guo 3 , Yan Zhao 4, 8 , Jinlong Yang 1, 2 , Liqiang Mai 3
Angewandte Chemie International Edition ( IF 16.1 ) Pub Date : 2023-02-03 , DOI: 10.1002/anie.202218922
Meng Huang 1, 2, 3 , Qiu He 4 , Junjun Wang 3 , Xiong Liu 5 , Fangyu Xiong 3, 6 , Yu Liu 3, 7 , Ruiting Guo 3 , Yan Zhao 4, 8 , Jinlong Yang 1, 2 , Liqiang Mai 3
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NH 4 +在电极-电解质界面上的积累通过原位ATR-FTIR 探测。形成的富含NH 4 +的结构域诱导质子的形成。随后，质子共同插入 VO 2中，实现了快速离子存储（充电/放电时间 <20 s）和高容量（>300 mAh g -1），并通过原位 XRD 和 DFT 计算揭示了这一点。
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更新日期：2023-02-03
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