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纳米线尖端的避雷针效应增强电穿孔和电化学氧化:消除细胞内抗生素抗性基因的有效策略
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2023-01-30 , DOI: 10.1021/acsnano.2c11811
Hai Liu 1 , Wei Huang 1 , Yang Yu 1 , Da Chen 1
Affiliation  

由于抗生素抗性细菌 (ARB) 细胞成分的竞争性氧化,传统的氧化消毒方法通常无法有效消除细胞内抗生素抗性基因 (i-ARG),导致饮用水系统中普遍存在 ARG。在此,我们开发了在 Co 3 O 4纳米线修饰电极上耦合电穿孔和电化学氧化的策略,以破坏多重抗性大肠杆菌细胞并促进后续的 i-ARG(bla TEM-1aac(3)-II) 降解。纳米线尖端上的避雷针效应可以形成具有局部增强电场和高度集中电荷密度的有限区域,进而促进 ARB 细胞损伤的电穿孔和活性氯/氧物质生成的电化学反应。ARB 膜完整性和形态的表征表明,电穿孔诱导的细胞孔通过活性物质的氧化进一步扩大,导致在较低的施加电压下去除 i-ARG,并且能耗比传统电化学氧化方法低 6-9 倍与 Co 3 O 4-薄膜修饰电极。自来水中水平基因转移的令人满意的应用和有效抑制进一步证明了我们的策略在控制饮用水系统中 ARG 传播风险方面的巨大潜力。



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更新日期:2023-01-30
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