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一种基于氧化 Ti3C2TX MXene 的新型非易失性存储器件,用于神经计算应用
Carbon ( IF 10.5 ) Pub Date : 2023-01-19 , DOI: 10.1016/j.carbon.2023.01.040
Xin Feng , Jingjing Huang , Jing Ning , Dong Wang , Jincheng Zhang , Yue Hao
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更新日期:2023-01-19
Carbon ( IF 10.5 ) Pub Date : 2023-01-19 , DOI: 10.1016/j.carbon.2023.01.040
Xin Feng , Jingjing Huang , Jing Ning , Dong Wang , Jincheng Zhang , Yue Hao
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由于独特的表面特性和二维结构,MXenes 在新型电子设备中显示出巨大的潜在应用,尤其是在流行的内存存储中。在这项工作中,将MXenes之一的Ti 3 C 2 T x部分氧化并用作电阻层来制造具有电阻切换特性和突触特性的忆阻器。该器件基于氧空位阳离子导电丝的逐渐形成和湮灭,表现出优异的双极电阻开关特性,包括足够的开/关比(≈10 2)、长循环耐久性(>10 3循环)和保留时间(> 10 4 秒)。此外,由于氧空位阳离子迁移类似于生物突触的 Ca2 +离子动力学,该装置成功地模拟了生物突触功能,例如双脉冲促进 (PPF)、长时程增强 (LTP) 和长时程抑制 (有限公司)。该工作为MXenes在忆阻器和人工突触领域的应用提供了实验和理论基础,推动了MXenes在神经计算应用中的发展。

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