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二维过渡金属二硫化物半导体 MoS2 的光学和结构特性
Bulletin of Materials Science ( IF 1.9 ) Pub Date : 2023-01-19 , DOI: 10.1007/s12034-022-02852-9
Krishna Gopal Mondal , Paresh Chandra Jana , Satyajit Saha

二维硫化钼(MoS 2) 已通过水热法合成,并记录了光学特性、吸收和光致发光光谱。绘制了折射率、消光系数、介电常数(实部和虚部)和光导率随波长的变化。已经在弱电子 - 声子耦合状态下计算了激子能量。使用模拟很好地解释了价带的温度依赖性分裂能。分裂能在 50 K 以下是恒定的,然后随着温度的升高而降低。已使用时间相关单光子计数计算激发电子的平均寿命 (0.75 ns)。已记录 X 射线衍射 (XRD)、拉曼光谱和高分辨率透射电子显微镜 (HRTEM) 以研究 MoS2 的结构特性2样本。XRD 显示具有明确结晶度的六方晶体对称性。在拉曼光谱中,在 381、407 和 453 cm –1处发现了三个突出的峰。HRTEM 还证实,MoS 2的结构为六方结构,具有三层纳米片,平面间距为 0.58 nm





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更新日期:2023-01-20
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