温度在半导体器件性能和可靠性分析中起着决定性的作用。在负电容 (NC) 晶体管中，这种效应更为严重，因为温度会调制铁电极化，这隐含在 Landau 系数中（α, β, γ) 在技术计算机辅助设计 (TCAD) 模拟中。在本文中，通过 TCAD 仿真，研究了环境温度变化对 NC-FinFET 的线性度和模拟/射频 (RF) 优点的影响。变化的温度调制载流子迁移率、半导体带隙和 Landau 参数（α). 我们分析了模拟/RF 和线性指标，例如总栅极电容 (C _gg ), 跨导 (G _m ), 单位增益截止频率 (F _T )、跨导-频率积、增益-带宽积、高阶跨导(G _平方米和G _m3 )、电压截取点、三阶功率截取点和互调点，以及使用经过良好校准的 TCAD 模型的 1 dB CP。我们的分析表明，这些参数在很大程度上取决于温度，并且 NC 跨度（通过使用 S 曲线定义）随着温度的升高而缩小。最后，设计了一个源极跟随器和三级环形振荡器来测试交流模拟在不同温度下的频率兼容性。



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