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通过优化场致相变实现 La 和 Ta 共掺杂 AgNbO3 陶瓷的超高储能密度
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2023-01-13 , DOI: 10.1021/acsami.2c20508
Boyuan Li 1 , Zhongna Yan 2 , Xuefan Zhou 1 , He Qi 3 , Vladimir Koval 4 , Xiaogang Luo 1 , Hang Luo 1 , Haixue Yan 5 , Dou Zhang 1
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由于快速充电/放电速率和高功率密度,储能电容器广泛用于脉冲功率设备。然而,介电电容器的低储能密度和效率限制了它们在现代储能应用中的进一步商业化。无铅 AgNbO 3基反铁电(AFE)陶瓷被认为是最有前途的介电电容器环保材料之一,因为它们具有双极化-电场磁滞回线,剩余极化小,最大极化大。这些特性的增强允许实现反铁电材料的储能密度和效率的协同改进。这项工作报告了一种可行的共掺杂策略,该策略能够制备具有高储能性能的 AgNbO 3基陶瓷。将 La 3+和 Ta 5+离子引入 AgNbO 3发现钙钛矿晶格以减少局部极性区域为代价增加了反铁电相的结构稳定性,导致电场引起的反铁电-铁电相变向更高的场移动。Ag 0.94 La 0.02 Nb 0.8 Ta 0.2 O 3陶瓷在540 kV/cm的单极电场下获得了6.73 J/cm 3的超高可恢复储能密度和74.1%的高储能效率。这些值代表了迄今为止报道的无铅陶瓷中的最佳能源性能。因此,La 3+ /Ta 5+共掺杂已被证明是改善 AgNbO 3陶瓷储能性能的良好途径。



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更新日期:2023-01-13
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