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一维 NbOCl3 和 NbOBr3 中的掺杂诱导磁性和磁电耦合
Physical Chemistry Chemical Physics ( IF 2.9 ) Pub Date : 2023-01-13 , DOI: 10.1039/d2cp05823e
Ruiman He 1 , Pengyu Liu 1 , Bing Wang 1 , Jinbo Fan 1 , Chang Liu 1
Physical Chemistry Chemical Physics ( IF 2.9 ) Pub Date : 2023-01-13 , DOI: 10.1039/d2cp05823e
Ruiman He 1 , Pengyu Liu 1 , Bing Wang 1 , Jinbo Fan 1 , Chang Liu 1
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具有磁电耦合的低维多铁性系统由于其在高密度低功率存储中的重要应用而引起了相当大的关注。基于第一性原理计算，我们证明了最近提出的一维（1D）铁电材料NbOCl 3和NbOBr 3具有良好的稳定性，并发现它们可以很容易地从体相中分离出来。由于费米能级附近的平带，可以在很宽的电子掺杂浓度范围内诱发巡回铁磁性，并导致一维 NbOX 3中铁电性和铁磁性共存(X = Cl, Br) 和有限长度的纳米链。更有趣的是，有限长度的纳米链上存在强磁电耦合，这是由磁性载体的自发电极化和重新分布引起的。此外，氧空位也可以引入磁性。我们还分析了掺杂浓度、应变和长度对铁电极化和磁性的影响。我们的发现提供了一种设计和搜索低维多铁性材料的方法。
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更新日期：2023-01-13
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