Light: Science & Applications ( IF 20.6 ) Pub Date : 2023-01-12 , DOI: 10.1038/s41377-022-01022-0 Haitao Zhou 1, 2 , Xiaoling He 2 , Wenyuan Wu 2 , Jingfang Tong 2 , Jinliang Wang 2 , Yanbin Zuo 2 , Yicheng Wu 1 , Changlong Zhang 2 , Zhanggui Hu 1
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“新”电光（EO）晶体难求，“老”电光晶体稀缺且各有问题，更高功率、更高重复率、更窄脉宽对高性能电光晶体的需求激光是现实而紧迫的。KTP的EO性能一经发现就得到认可，但经过40多年的发展，基于KTP的EO器件的报道和产品都比其他EO晶体少，尽管KTP现在几乎是最便宜的非线性光学晶体材料。本文基于我们对前人和自身对晶体结构的理解，特别是准一维离子传导机制的理解和实践，认为晶体生长是影响晶体性能可控性的最重要原因。通过一系列科学技术，我们实现了高光学均匀性大尺寸晶体的生长，进而将KTP的吸收降低到极低的水平，生长出抗电损伤和激光损伤的晶体。在此基础上，强调降低电导率，提高光学、电学、压电和铁电性能的均匀性。测试了基于KTP晶体的电光开关的消光比、压电振铃效应和热影响，并列出了在高重频激光器中使用KTP电光器件的一些公开进展。最后，期待激光系统用KTP电光晶体向集成光学用电光发生器的发展。我们实现了具有高光学均匀性的大尺寸晶体的生长，然后将KTP的吸收降低到非常低的水平，并生长出具有抗电损伤和激光损伤的晶体。在此基础上，强调降低电导率，提高光学、电学、压电和铁电性能的均匀性。测试了基于KTP晶体的电光开关的消光比、压电振铃效应和热影响，并列出了在高重频激光器中使用KTP电光器件的一些公开进展。最后，期待激光系统用KTP电光晶体向集成光学用电光发生器的发展。我们实现了具有高光学均匀性的大尺寸晶体的生长，然后将KTP的吸收降低到非常低的水平，并生长出具有抗电损伤和激光损伤的晶体。在此基础上，强调降低电导率，提高光学、电学、压电和铁电性能的均匀性。测试了基于KTP晶体的电光开关的消光比、压电振铃效应和热影响，并列出了在高重频激光器中使用KTP电光器件的一些公开进展。最后，期待激光系统用KTP电光晶体向集成光学用电光发生器的发展。强调了降低电导率和提高光学、电学、压电和铁电性能的均匀性。测试了基于KTP晶体的电光开关的消光比、压电振铃效应和热影响，并列出了在高重频激光器中使用KTP电光器件的一些公开进展。最后，期待激光系统用KTP电光晶体向集成光学用电光发生器的发展。强调了降低电导率和提高光学、电学、压电和铁电性能的均匀性。测试了基于KTP晶体的电光开关的消光比、压电振铃效应和热影响，并列出了在高重频激光器中使用KTP电光器件的一些公开进展。最后，期待激光系统用KTP电光晶体向集成光学用电光发生器的发展。
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