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与 MoS2 纳米带和纳米管量子点的非破坏性低温接触
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2023-01-09 , DOI: 10.1002/adma.202209333
Robin T K Schock 1 , Jonathan Neuwald 1 , Wolfgang Möckel 1 , Matthias Kronseder 1 , Luka Pirker 2, 3 , Maja Remškar 2 , Andreas K Hüttel 1
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2023-01-09 , DOI: 10.1002/adma.202209333
Robin T K Schock 1 , Jonathan Neuwald 1 , Wolfgang Möckel 1 , Matthias Kronseder 1 , Luka Pirker 2, 3 , Maja Remškar 2 , Andreas K Hüttel 1
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二硫化钼纳米带和纳米管是具有强自旋轨道相互作用的准一维半导体，是一种非常有希望用于量子电子应用的纳米材料。在这里，证明了接触金属和这种纳米材料之间的铋半金属层极大地改善了接触的性能。在室温下观察到大约 100 kΩ 的两点电阻。在低温下，库仑阻塞是可见的。与以前使用低功函数金属作为触点的设备相比，由此产生的稳定性图表明触点处明显没有陷阱状态和相应的无序。在低于 100 mK 的温度下观察到单能级量子传输。
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更新日期：2023-01-09
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京公网安备 11010802027423号