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神经元内氧化应激的化学遗传学模拟影响突触可塑性
Redox Biology ( IF 10.7 ) Pub Date : 2023-01-10 , DOI: 10.1016/j.redox.2023.102604
Andrei L Kalinichenko 1 , David Jappy 2 , Georgy M Solius 3 , Dmitry I Maltsev 4 , Yulia A Bogdanova 5 , Liana F Mukhametshina 1 , Rostislav A Sokolov 6 , Aleksandr A Moshchenko 7 , Vladimir A Shaydurov 8 , Andrei V Rozov 9 , Oleg V Podgorny 10 , Vsevolod V Belousov 11
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氧化应激是一种氧化还原信号中断、活性氧 (ROS) 过量产生和氧化细胞损伤的状态,伴随着许多脑部病变,包括与衰老相关的痴呆和阿尔茨海默病,这是老年人群中最常见的神经退行性疾病。然而,由于缺乏模拟大脑中孤立氧化损伤的方法,神经元氧化应激在与衰老相关的认知衰退和神经变性发展中的致病作用仍然难以捉摸。在这里,我们提出了一种基于酵母黄素蛋白d-氨基酸氧化酶 (DAAO) 的化学遗传学方法,用于生成神经元内过氧化氢 (H 2 O 2). 为了验证这种化学遗传学工具,DAAO 和 HyPer7(一种超灵敏的基因编码 H 2 O 2生物传感器)以神经元为目标。用d-正缬氨酸 (D-Nva)(一种 DAAO 底物)处理表达 DAAO 的神经元后,HyPer7 的荧光变化证实了神经元内 H 2 O 2的化学遗传诱导产生. 然后,使用经过验证的化学遗传学工具,我们在急性脑切片中模拟了孤立的神经元内氧化应激,并使用电生理记录表明它不会改变基础突触传递和突触前末梢神经递质释放的可能性,但会降低长时程增强 (LTP) ). 此外,通过贴片吸管用 D-Nva 处理表达 DAAO 的神经元也会降低 LTP。这一观察表明,孤立的氧化应激会影响单细胞水平的突触可塑性。我们的研究结果拓宽了研究大脑中正常氧化还原调节的工具集,并阐明了氧化应激对认知衰老的发病机制和与衰老相关的神经退行性疾病的早期阶段的作用。





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更新日期:2023-01-13
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