当前位置:
X-MOL 学术
›
Mater. Today Commun.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
空位缺陷对石墨烯/MoS2 异质结构电子和光学性质的影响:第一性原理研究
Materials Today Communications ( IF 3.7 ) Pub Date : 2023-01-02 , DOI: 10.1016/j.mtcomm.2023.105313
Xin Wu , Hailong Cheng , Xinchun Luo
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期:2023-01-02
Materials Today Communications ( IF 3.7 ) Pub Date : 2023-01-02 , DOI: 10.1016/j.mtcomm.2023.105313
Xin Wu , Hailong Cheng , Xinchun Luo
![]() |
二维(2D)材料的缺陷工程是控制性能和实现相关设备所需功能的重要方法。在本文中,各种类型的空位缺陷对石墨烯/二硫化钼(MoS 2)异质结构是通过基于密度泛函理论的第一性原理方法研究的。分别研究了单层和两层中空位缺陷的存在。此外,还考虑了空位密度的影响。揭示了不同空位类型的电子能带结构和微分电荷密度差异的演变。并详细讨论了光学吸收系数 (α(ω))、光学折射率 (n(ω)) 和光学能量损失谱 (L(ω)) 的演变。该研究可为缺陷工程在基于二维异质结构的器件中的应用提供重要信息。

"点击查看英文标题和摘要"