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基于 HfO2 的铁电薄膜的相及其在低功率设备中的集成
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2023-01-06 , DOI: 10.1021/acsaelm.2c01513
Pavan Pujar 1 , Haewon Cho 1 , Sunkook Kim 1
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2023-01-06 , DOI: 10.1021/acsaelm.2c01513
Pavan Pujar 1 , Haewon Cho 1 , Sunkook Kim 1
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基于HfO 2的铁电体广泛应用于从超低功耗逻辑到非易失性存储器的各种电子设备中。这些铁电体的功效在于，它们提供了互补的金属氧化物半导体兼容性以及大的矫顽场和亚 10 纳米厚度的铁电体。由于与传统的铅基厚钙钛矿薄膜（>50 nm）相比具有这些优势，本文重点关注它们在超越场效应晶体管的亚阈值摆幅（室温下为 60 mV/dec）的物理极限方面的应用（FET）通过稳定负电容。此外，关于HfO 2的讨论- 基于铁电的存储器专注于两端随机存取器件、隧道结、三端铁电 FET 及其各自的 3D 堆叠架构。
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更新日期：2023-01-06
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