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InGaZnO 薄膜晶体管漏极势垒降低分析
IEEE Transactions on Electron Devices ( IF 2.9 ) Pub Date : 11-28-2022 , DOI: 10.1109/ted.2022.3223642 Tae Jun Yang 1 , Je-Hyuk Kim 2 , Chang II Ryoo 2 , Seung Joo Myoung 1 , Changwook Kim 1 , Ju Heyuck Baeck 2 , Jong-Uk Bae 2 , Jiyong Noh 2 , Seok-Woo Lee 2 , Kwon-Shik Park 2 , Jeom-Jae Kim 2 , Soo-Young Yoon 2 , Yoon Kim 3 , Dae Hwan Kim 1
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短沟道非晶氧化铟镓锌 (InGaZnO) (a-IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 的表征一直是实现更高分辨率显示和采用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的异质集成的关键问题。在这项工作中，研究了a-IGZO TFT 的漏极诱导势垒降低（DIBL）随IGZO 层中氧含量变化的情况。为了准确研究漏极电压对沟道电位的影响，需要根据沟道区的掺杂分布来分析能带图。提出了一种通过 a-TFT 样品的简单 C{C} – V{V} 测量来提取沟道掺杂剂分布的新方法。我们根据提取的 IGZO 层的态密度和掺杂剂分布进行了 TCAD 器件模拟，并确认与测量的具有不同氧含量的 a-IGZO TFT 的 I{I} – V{V} 特性具有良好的一致性。发现随着IGZO沟道层中氧含量的降低，有效沟道长度变短。随着氧含量的降低，DIBL 效应变得更加严重。我们的方法已在这项工作中得到成功验证，可用于分析短沟道效应，包括缩放 a-IGZO TFT 的 DIBL。
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