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具有最大动态范围更新的二端自校正光电突触器件
Applied Materials Today ( IF 7.2 ) Pub Date : 2023-01-03 , DOI: 10.1016/j.apmt.2022.101728
Wen Huang , Pengjie Hang , Xuwen Xia , Bin Li , Biao Li , Chenxia Kan , Huixing Zhang , Chen Zhu , Chenhao Wang , Xiaodong Zhu , Deren Yang , Xiaodong Pi , Xuegong Yu , Xing'ao Li

两端光电突触器件由于其结构简单,有利于神经形态计算系统中的器件集成而引起了越来越多的关注。然而,两端光电突触装置的突触权重更新和自校正性能较差。在这里,我们根据光学活性层MAPbI和电子传输层(ETL)SnO的混合结构在nip平面系统中制造两端光电突触器件,其中MAPbI和SnO分别用于产生和捕获载流子。兴奋性突触后电流 (EPSC)、配对脉冲促进 (PPF)、尖峰数量依赖性可塑性 (SNDP) 和尖峰速率依赖性可塑性 (SRDP) 等突触功能都可以在没有外部偏差的情况下成功模仿。这些突触装置具有自校正特性,最高比率为∼0.3×10,并且在已报道的两端光电突触装置中,其突触权重在14秒内表现出最大动态范围更新为14.3。此外,突触装置中EPSC的尖峰数可调性导致农用电机无人驾驶技术的直线行驶的实现。结果极大地促进了神经形态计算中两端光电突触装置的发展。



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更新日期:2023-01-03
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