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边缘扭曲的 MoS2 双层中的莫尔电位、晶格弛豫和层极化
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2022-12-28 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c03676
Nikhil Tilak 1 , Guohong Li 1 , Takashi Taniguchi 2 , Kenji Watanabe 3 , Eva Y Andrei 1
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2022-12-28 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c03676
Nikhil Tilak 1 , Guohong Li 1 , Takashi Taniguchi 2 , Kenji Watanabe 3 , Eva Y Andrei 1
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半导体过渡金属二硫化物 (TMD) 的人工扭曲异质结构通过层间相互作用的空间调制和结构重建，提供了对其电子和光学特性的前所未有的控制。我们在这里研究扭曲的MoS2使用扫描隧道显微镜/光谱法，在接近 0° 的广泛扭曲角范围内形成双层。我们研究了莫尔图案的扭曲角依赖性，该图案由小角度（<2°）的晶格重建主导，导致具有菱形堆叠的大三角形域。局部光谱测量显示，对于 <3° 的角度，莫尔势能强度为 100–200 meV。在重建区域中，我们看到相邻三角域之间存在偏置相关的不对称性，我们将其与菱形堆叠 TMD 固有的垂直极化相关。光谱图和环境压电响应测量进一步支持了这一观点。
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更新日期：2022-12-28
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