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通过提高 Ce3+ 表面浓度提高 CeO2 磨料在 SiO2 基体上的抛光效率
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2022-12-28 , DOI: 10.1021/acsaelm.2c01553
Jiahui Ma 1, 2 , Ning Xu 1, 2, 3, 4 , Yuxin Luo 1, 2 , Yu Lin 1, 2 , Yongping Pu 1, 2
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CeO 2磨料的抛光活性通过提高其表面的Ce 3+浓度而增强。在本研究中,制备了一系列具有不同La 3+掺杂的Ce 1– x La x O 2磨料。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱和X射线光电子能谱对磨料进行了表征。研究了La 3+掺杂对磨料形貌、尺寸和Ce 3+浓度的影响。随着La 3+掺杂,颗粒的形貌从球形变为八面体。CeO的晶格膨胀La 3+掺杂后的2晶体也显着提高了磨料表面的Ce 3+浓度。但是,当x为0.2以上时,表面的Ce 3+浓度逐渐饱和。抛光性能证明材料去除率(MRR)与La 3+掺杂产生的Ce 3+浓度密切相关。Ce 3+浓度为 20.53%的纯 CeO 2磨料在 SiO 2基底上的 MRR 为 59.31 nm/min,而Ce 3+的 Ce 0.7 La 0.3 O 2磨料浓度增加到 34.41% 达到 101.12 nm/min。抛光表面质量通过原子力显微镜表征,显示所有样品的粗糙度均有所改善。此外,还讨论了CeO 2基磨料在SiO 2基体上Ce 3+和Ce 4+去除率的差异。



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更新日期:2022-12-28
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