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异质结构 ZnO-ZnS 纳米粒子增强聚合物纳米复合薄膜的击穿强度和静电能量密度
Chemical Engineering Journal ( IF 13.3 ) Pub Date : 2022-12-14 , DOI: 10.1016/j.cej.2022.140950
Jie Liu , Linye Ji , Junyi Yu , Shanjun Ding , Suibin Luo , Baojin Chu , Jianbin Xu , Rong Sun , Shuhui Yu

我们证明,将异质结构纳米粒子引入聚合物基质是一种有效的策略,可以显着提高介电击穿强度 (E b ),从而提高静电储能密度 (U e)可以获得,这在现代电子和电气系统中非常需要用于能量存储和转换。这是通过异质结构纳米粒子对电荷传输的特殊“电整流”效应实现的,这种效应源于在 ZnO-ZnS 纳米粒子异质结处形成的势阱和势垒捕获和限制纳米复合材料中的电荷载流子。ZnO-ZnS/聚醚酰亚胺纳米复合材料 (ZnO-ZnS/PEI) 的漏电流被引入的异质结抑制,伴随着介电位移和充放电效率的同时增加,导致 U e显着增强. 值得注意的是,1 wt% ZnO-ZnS/PEI 纳米复合薄膜在室温下具有高放电能量密度,即在 650 MV m -1时为 6.9 J cm -3,甚至在 150 °C 时,U e仍保持为 3.6 J cm -3在 500 MV m -1在 200 MV m -1和 150 °C 下超过 50,000 次充放电循环的出色抗疲劳性证明了限制电荷载流子的异质结构的高温循环稳定性。这项工作提供了一种新颖且可扩展的策略,以获得具有优异储能性能的聚合物基电介质。





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更新日期:2022-12-14
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