用于宽色域显示和高速可见光通信的 GaN-on-Si 绿色 Micro-LED 的特性,ACS Photonics

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用于宽色域显示和高速可见光通信的 GaN-on-Si 绿色 Micro-LED 的特性
ACS Photonics ( IF 6.5 ) Pub Date : 2022-12-15 , DOI: 10.1021/acsphotonics.2c01028
Shijie Zhu ₁ , Xinyi Shan ₁ , Runze Lin ₁ , Pengjiang Qiu ₁ , Zhou Wang ₁ , Xinyi Lu ₁ , Lintao Yan ₁ , Xugao Cui ₁ , Guoqi Zhang ₁ , Pengfei Tian ₁

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在硅衬底上生长的GaN绿色LED有望在未来几年成为低成本、高效率的绿色光源，从而推动GaN-on-Si绿色micro-LED在显示和可见光通信（VLC）方面的潜力，但 GaN-on-Si 绿色微型 LED 的性能尚未得到充分研究。在显示方面，采用无损转印工艺，展示了转移到玻璃基板前后的 GaN-on-Si 绿色 Micro-LED 的特性。去除Si衬底对器件几乎没有电损伤，在1 A/cm ^{2的低电流密度下}，micro-LED的EQE可以翻倍，并且器件仍能保持良好的色纯度。^{在可见光通信方面，80 μm micro-LED 在 2 kA/cm 2}的电流密度下实现了高达 613 MHz 的 −3 dB 带宽，并获得了 4.65 Gbps 的数据速率。这些结果表明GaN-on-Si绿色Micro-LED在显示和通信领域都具有广阔的应用前景。

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更新日期：2022-12-15

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