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用于超低功耗智能纺织电子产品的可重构神经形态忆阻器网络

Nature Communications ( IF 14.7 ) Pub Date : 2022-12-02 , DOI: 10.1038/s41467-022-35160-1
Tianyu Wang 1, 2 , Jialin Meng 1, 2 , Xufeng Zhou 3 , Yue Liu 3 , Zhenyu He 1, 2 , Qi Han 1, 2 , Qingxuan Li 1, 2 , Jiajie Yu 1, 2 , Zhenhai Li 1, 2 , Yongkai Liu 1, 2 , Hao Zhu 1, 2 , Qingqing Sun 1, 2 , David Wei Zhang 1, 2 , Peining Chen 3 , Huisheng Peng 3 , Lin Chen 1, 2
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由于其内在的交织结构和在可穿戴电子产品中的有前景的应用,神经形态计算忆阻器对于构建低功耗电子纺织品很有吸引力。开发可重构的基于光纤的忆阻器是实现具有神经形态计算功能的电子纺织品的有效方法。然而,先前报道的人工突触和神经元需要不同的材料和配置,因此很难在单个设备中实现多种功能。在此,报道了一种具有可重构特性的Ag/MoS 2 /HfAlO x /碳纳米管的纺织忆阻器网络,它可以实现非易失性突触可塑性和易失性神经元功能。此外,单个可重构忆阻器可以实现集成激发功能,在降低神经元电路复杂度方面表现出显着优势。基于纤维的忆阻神经元的发射能量消耗为1.9 fJ/spike(飞焦耳级),比报道的生物和人工神经元(皮焦耳级)至少低三个数量级。超低能耗使得创建比人脑能耗更低的电子神经网络成为可能。通过集成可重构突触、神经元和加热电阻,成功构建了用于保暖织物应用的智能纺织系统,为下一代内存计算纺织系统提供了独特的功能重构途径。





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更新日期:2022-12-03
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