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通过高能球磨获得的 β-Ga2O3 纳米粉体的结构和发光表征
Applied Nanoscience Pub Date : 2022-11-27 , DOI: 10.1007/s13204-022-02717-x A. Luchechko , V. Vasyltsiv , M. Kushlyk , D. Slobodzyan , M. Baláž , J. Cebulski , K. Szmuc , J. Szlęzak , Y. Shpotyuk
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更新日期:2022-11-28
Applied Nanoscience Pub Date : 2022-11-27 , DOI: 10.1007/s13204-022-02717-x A. Luchechko , V. Vasyltsiv , M. Kushlyk , D. Slobodzyan , M. Baláž , J. Cebulski , K. Szmuc , J. Szlęzak , Y. Shpotyuk
采用高能球磨法成功制备了β-Ga 2 O 3纳米晶。已使用 X 射线衍射、透射电子显微镜、能量色散 X 射线光谱和发光光谱对获得的纳米晶体粉末进行了表征。X射线衍射图显示在研磨过程中形成的单一氧化镓结构具有少量α-Ga 2 O 3相。使用 TEM 技术识别不规则形状的晶粒。HRTEM 图像证实了 β-Ga 2 O 3的形成尺寸分布为 50-80 nm 的纳米晶体。在光致发光光谱中观察到在约 2.52、2.91 和 3.26 eV 处达到峰值的三个发光带。检测到在不同研磨条件下基本吸收边缘激发处的发射最大值逐渐蓝移。
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