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表面羟基化 BiVO4 光阳极上增强的光电化学水氧化:有利的电荷分离和水离解
New Journal of Chemistry ( IF 2.7 ) Pub Date : 2022-11-21 , DOI: 10.1039/d2nj04470f Yaru Li 1 , Fangxia Xie 1 , Zijun Sun 1 , Zhuobin Yu 2 , Jianxin Liu 1 , Xiaochao Zhang 1 , Yawen Wang 1 , Yunfang Wang 1 , Rui Li 1, 3 , Caimei Fan 1
New Journal of Chemistry ( IF 2.7 ) Pub Date : 2022-11-21 , DOI: 10.1039/d2nj04470f Yaru Li 1 , Fangxia Xie 1 , Zijun Sun 1 , Zhuobin Yu 2 , Jianxin Liu 1 , Xiaochao Zhang 1 , Yawen Wang 1 , Yunfang Wang 1 , Rui Li 1, 3 , Caimei Fan 1
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钒酸铋(BiVO 4)是最有效的光电化学水分解光阳极材料之一,但其反应速率受到光生电荷分离效率低和动力学缓慢的极大限制。在这项工作中,进行了表面羟基化策略以克服上述缺点。一种简单的合成后 NaOH 浸泡方法被用来成功地羟基化 BiVO 4光阳极表面而不影响其体积特性。修饰的表面羟基不仅提高了羟基化BiVO 4的光生电荷分离效率,而且调整了其局部电子结构以形成高价Bi (3+ x )+状态。作为活性位点的 Bi (3+ x )+物种有利于水的离解,从而降低了潜在决定步骤的自由能势垒,从而提高了水的整体氧化动力学。结果,最好的羟基化 BiVO 4光阳极在可见光照射下在 1.23 V vs. RHE 下实现了 1.14 mA cm -2的更高光电流密度,这是裸 BiVO 4 (0.24 mA cm -2 ) 的 4.75 倍,并且此外,在 1 mA cm -2时,阴极位移为 190 mV获得。我们的工作提供了一种实用的方法,具有很强的可操作性,可以通过有效的表面羟基化策略来提高光阳极的本征光电化学性能。
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更新日期:2022-11-21
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