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超薄拓扑绝缘体β-Ag2Te和Ag2Te/WSe2基高性能光电探测器的合成
Small ( IF 13.0 ) Pub Date : 2022-11-18 , DOI: 10.1002/smll.202205353
Fapeng Sun 1, 2, 3 , Wenting Hong 1, 2 , Xu He 1, 2 , Chuanyong Jian 1, 2 , Qiankun Ju 1, 2, 3 , Qian Cai 1, 2 , Wei Liu 1, 2
Small ( IF 13.0 ) Pub Date : 2022-11-18 , DOI: 10.1002/smll.202205353
Fapeng Sun 1, 2, 3 , Wenting Hong 1, 2 , Xu He 1, 2 , Chuanyong Jian 1, 2 , Qiankun Ju 1, 2, 3 , Qian Cai 1, 2 , Wei Liu 1, 2
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β-Ag 2 Te以其窄带隙、高迁移率和拓扑绝缘体特性在电子和光电子应用中引起了广泛关注。然而,由于Ag 2 Te 的非层状结构,合成二维Ag 2 Te仍然是一个重大挑战。在此,首次报道了通过范德华外延法合成大尺寸超薄单晶拓扑绝缘体2D Ag 2 Te。2D Ag 2 Te 晶体表现出 p 型导电行为,具有 3336 cm 2 V -1 s -1的高载流子迁移率在室温下。利用Ag 2 Te的高迁移率和完美的电子结构,通过机械堆叠制备Ag 2 Te/WSe 2异质结,并显示出2×10 5的超高整流比。Ag 2 Te/WSe 2光电探测器还表现出自驱动特性,在近红外区域具有快速响应速度(40 µs/60 µs)。在光伏模式下获得了高响应度(219 mA W -1)和6×10 5的光开/关比。Ag 2 Te/WSe 2的整体性能photodetector 在所有报道的 2D 光电探测器中具有显着的竞争力。这些结果表明 2D Ag 2 Te 是未来电子和光电应用的有前途的候选者。
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更新日期:2022-11-18

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