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Cr 离子对光谱宽度高达 419 nm 的超宽带红外发光的位点选择性占据控制
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2022-11-17 , DOI: 10.1021/acsami.2c18388
Shihai Miao 1 , Yanjie Liang 1 , Dongxun Chen 1 , Ruiqi Shi 1 , Xihui Shan 1 , Yi Zhang 1 , Fei Xie 1 , Xiao-Jun Wang 2
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发射红外线的荧光粉转换发光二极管 (LED) 是光谱分析、无损监测、隐蔽信息识别和夜视监视等广泛应用的理想光源。用于光谱学的红外发射器最重要的方面是覆盖尽可能宽的发射光波长范围。然而,由于缺乏合适的荧光粉材料,可以在蓝光芯片激发下在宽波长范围内发光,因此开发基于转换器技术的超宽带红外发射器仍然是一项具有挑战性的任务。在此,这项工作展示了 Cr 3+ -激活的 Mg 2 SiO 4红外荧光粉具有 600 至 1400 nm 的超宽红外光谱范围,在 460 nm 激发下具有高达 80.4% 的高内量子产率。Cr 3+发射体在 Mg 2 SiO 4晶格中两个不同 Mg 位置的位置选择性占据导致两个不同的宽发射带在 760 和 970 nm 处达到峰值,这两个发射带都有助于全宽度的超宽带红外发光在 419 nm 的半峰 (FWHM)。据我们所知,这是迄今为止最广泛的红外辐射。在此基础上,结合Mg 2 SiO 4 :Cr 3+制备了超宽带红外LED原型带有蓝色 LED 芯片的荧光粉,显示出在成像和传感应用方面的巨大潜力。这项工作表明,Cr 离子的位点选择性占据控制是开发超宽带 Cr 3+掺杂荧光粉的有效策略。



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更新日期:2022-11-17
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