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包含缺电子苯并噻二唑共聚单体的 BN Lewis 对稠合二吡啶基芴共聚物
Polymer Journal ( IF 2.3 ) Pub Date : 2022-11-16 , DOI: 10.1038/s41428-022-00723-y
Abdullah F. Alahmadi , Jingyao Zuo , Frieder Jäkle
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更新日期:2022-11-18
Polymer Journal ( IF 2.3 ) Pub Date : 2022-11-16 , DOI: 10.1038/s41428-022-00723-y
Abdullah F. Alahmadi , Jingyao Zuo , Frieder Jäkle
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用 BN 单元等排取代 CC 正在成为一种调节有机 π 共轭材料光电特性的有效方法。在这项工作中,基于阶梯型 BN Lewis 对稠合联吡啶基芴单体和噻吩基化苯并噻二唑 (BTDDT) 的共聚物通过 Stille 型缩聚制备。在硼上含有环外乙基或五氟苯基取代基的聚合物通过多核 NMR 光谱和凝胶渗透色谱法进行表征,它提供了 30 (R = Et) 和 10 (R = C 6 F 5 ) 的平均聚合度 (DP n ) 的估计值). 对薄膜的电化学分析揭示了两种截然不同的可逆还原,这些还原归因于以苯并噻二唑和硼稠合的联吡啶基芴为中心的过程。UV-vis 分析表明,与 BTDDT 和含硼单体相比,带隙显着降低。结果,吸收带和发射带转移到低得多的能量,导致强烈的橙色发射,最大值分别为 641 nm (R = Et) 和 627 nm (R = C 6 F 5 ),量子产率超过50%。分子模型二元体的计算研究提供了对阶梯型稠合双芴中 CC 单元等排置换与 BN 路易斯对对聚合物电子结构的影响的见解。

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